据报道，韩国技术信息部宣布该国研究团队利用可以代替现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器（FRAM）”，将存储芯片的存储容量提高 了1000 倍；同时通过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压，致使原子之间的力量断裂，每个原子都可以自由移动，从而理论上可将线幅缩小至0.5纳米。 现有半导体的最小线幅为5纳米，此次发现在理论上可以进一步减少到十分之一以下。从而“在相同的空间里储存1000 倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授表示：“在原子中储存信息的技术，在不分裂原子的情况下成为半导体产业终极储存技术的几率很高。”值得注意的是，FRAM是现有的半导体材料，被认为商用化的可能性非常高。 相关上市公司： 上海贝岭：存储芯片已形成系列产品，公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技术创新重点新产品； 东方锆业：旗下有氧化铪产品。 |
