SK海力士已经开始突破NAND闪存堆叠的限制，计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产，作为连接两个半导体晶圆的下一代封装技术。 随着人工智能相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动，NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。存储巨头三星和SK海力士都在加紧努力，提升NAND产品的性能和容量。研究机构预计，2024年的DRAM内存、NAND闪存行业收入将分别大幅增加75%、77%。主流存储产品涨价有望传导至利基市场，当前MCU库存去化有望逐步进入尾声，模拟芯片库存已回归正常水位，功率、碳化硅、代工厂、封测厂、AI服务器等都有持续向好迹象。 东北证券指出，AI时代下，SSD高传输速率与高存储密度的发展趋势将加速迭代，共同催化SSD价量齐升。 相关标的： 存储模组：江波龙（进军企业级&信创市场）、佰维存储（研发封测一体化）、朗科科技（韶关数据中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模组）等 存储芯片：建议关注兆易创新（NOR+DRAM龙头）、东芯股份、普冉股份等 DDR5配套：澜起科技、聚辰股份等 |
